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产品与计划

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测计划

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SGT MOSFET

MOSFET
第三代半导体
智能功率模块
IGBT
应用计划
HYG065N15NS1P

HYG065N15NS1P

此器件为 150V、6mΩ、TO-220FB-3L封装产品,接纳SGT流片工艺,可满足如电机控制等应用领域。

特性

优异的QG

低输入电容

切合RoHS标准

100%  DVDS测试



通态损耗小

稳定的工艺能力

高可靠性

抗攻击能力强



应用

电动车控制器

逆变器   

HYG065N15NS1P

模型

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