技术介绍
BG：是背面减薄(Backside Gridding)，接纳In-Feed削磨的方法，将晶圆厚度减薄到目的厚度。提高芯片热扩散效率、电性能、机械性能，减小封装体积，及划片加工量。
BM：是背面金属化(Backside Metallization)， 使用电子束爆发高温（可达1000℃）蒸发金属，使金属原子在真空中直线运动，沉积在晶圆上，实现晶圆背面金属化。
CP：是晶圆测试(Chip Probing)，接纳测试机、探针台以及探针卡来对晶圆进行测试，确保每颗芯片能满足器件的特征或设计规格书（Specification），制止因芯片电性不良造成封装损失。
地点：西安经济技术开发区尚稷路8928号
邮箱：hy@hymexa.com; xa.sales@hymexa.com
电话：+86 29-86685706
语言