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产品与计划

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测计划

单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率� ？�
IGBT
应用计划
HYA009N04NS1TS

HYA009N04NS1TS

此器件为40V、0.95mΩ、sTOLL封装产品，接纳SGT流片工艺，该器件可满足汽车EPS/散热电扇等应用。

特性

切合RoHS标准  

100% DVDS测试

100% UIL测试

AEC-Q101 Qualified


优势

通态损耗小   

高可靠性

稳定的工艺能力


应用

汽车EPS/散热电扇 

HYA009N04NS1TS

模型

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